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江风益，1963年生，江西余干人，1984年毕业于吉林大学物理系,1989年中科院长春物理所硕士毕业，现为南昌大学副校长、教授、博士生导师、材料研究所所长。, 江风益 - 简介 江风益，男，汉族，47岁，**党员，南昌大学副校长，教授。他**的课题组完成了863计划等国家课题20多项，创造性地发展了硅衬底LED技术路线，并在短时间内实现产业化和批量生产，改变了国外垄断LED照明核心技术的局面，为我国LED研究和产业的发展做出了突出贡献。获得中国科协求是杰出青年成果转化奖，被评为国家有突出贡献的中青年专家、全国先进工作者、全国杰出专业技术人才、江西省突出贡献人才，科学中国人2008年度人物。 江风益 - 事迹介绍 江风益教授的座右铭是：多发光，少发热。“这里有二层含义，**层含义是指专业技术方面，发光二极管(LED)的发光与发热成反比，要想多发光，就必须少发热，这样才能节能，这是技术发展永恒的主题；第二层含义是指为人处世方面，要多做实事，少头脑发热。”江风益教授及其团队，在红土地上十年磨一剑，执着地演绎“多发光少发热”的传奇，取得了具有原始创新性成果并实现了产业化，为我国LED研究和LED产业的发展做出了突出贡献。 具有节能环保功能的半导体照明灯替代白炽灯与日光灯是大势所趋，正在引发照明工业的一场革命。在这一领域，日美等国占尽先机，分别垄断了蓝宝石衬底和碳化硅衬底半导体照明技术路线。在此情况下，江风益教授**的团队创造性发展了一条新的半导体照明技术路线――硅衬底LED技术路线，改变了日美等国垄断LED照明核心技术的局面，改写了世界LED历史。 江风益教授的团队经过10多年3000多次实验探索，终于从跟踪走向了跨越，发明了一种特殊过渡层和特定的硅表面加工技术，克服了外延层和衬底之间巨大的晶格失配和热失配，在**代半导体硅材料上，成功地制备了高质量的量子阱结构的第三代半导体GaN材料，研制成功硅衬底蓝光、绿光和白光LED，其发光效率、可靠性与器件寿命等各项技术指标在同类研究中处于国际领先地位，并在国际上率先实现了这一新技术产品的批量生产。 采用该成果生产的LED芯片成本显著低于蓝宝石衬底和碳化硅衬底LED芯片。该技术对蓝光LED来说是一种改写历史的新技术。该成果近几年来已吸引了多家国际基金联合投资6000万美元，在江西南昌建成了专门从事硅衬底GaN基LED外延材料及芯片生产的高科技企业――晶能光电（江西）有限公司。用不到一年的时间就在一片荒凉的土地上建成了一座硬件条件具有国际水准的现代化企业，并在不到半年的时间内，实现了具有原始创新性成果――硅衬底LED材料与芯片的批量生产，年生产能力为30亿粒硅衬底LED芯片。2009年和2010年，光电行业等三家协会联合二次授予他们生产的硅衬底蓝绿光LED芯片和功率型LED芯片“2008年、2009年中国LED技术创新奖”。 江风益 - 成绩荣誉 江风益教授先后主持并完成了国家863项目、国家自然科学基金项目、电子发展基金项目、国家发改委项目以及省市重点重大高科技项目等30余项，先后培养博士、硕士研究生50余人，在国内外发表SCI、EI收录的论文50余篇（他引400余次），作大会邀请报告20多次，已获得和公开发明专利97项。江教授是863计划半导体照明工程重大专项总体专家组成员，教育部半导体照明技术创新团队带头人，入选国家百千万人才工程**、二层次，教育部新世纪优秀人才计划，获得的奖或荣誉称号有：国家有突出贡献的中青年专家、全国先进工作者（全国劳模）、全国师德先进个人、全国优秀教师、江西省十大科技明星、江铃科技精英奖、江西省突出贡献人才、南昌市工业经济突出贡献企业家、江西省科技进步一等奖，中组部、中宣部、人事部和科技部联合授予的“全国杰出专业技术人才”称号，2008年中国科学技术协会颁发的“求是杰出青年奖（成果转化奖）”，2009年6月被评为“科学中国人2008年度人物”。