施敏（Simon M・Sze） 美国籍，微电子科学技术、半导体器件物理专业，台湾交通大学电子工程学系毫微米元件实验室教授，美国工程院院士。1936年出生。1957年毕业于台湾大学。1960年、1963年分别获得华盛顿大学和斯坦福大学硕士与博士学位。
施敏 - 职业生涯施敏博士是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家。他是非挥发MOS场效应记忆晶体管（MOSFET）的发明者，这项发明已成为世界集成电路产业主导产品之一，90年代初其产值已达100亿美元。此外，他还有多项创造性成果，如80年代初首先以电子束制造出线宽为0.15μm MOSFET器件，首先发现崩溃电压与能隙的关系，建立了微电子元件最高电场的指标，如此等等。施敏博士在微电子科学技术著作方面举世闻名，对半导体元件的发展和人才培养方面，作出贡献。他的三本专著已在我国翻译出版，其中《Physics of Semiconductor Devices》已翻译成六国文字，发行量逾百万册；他的著作广泛用作教科书与参考书。由于他在微电子器件及在人才培养方面的贡献，先后被选为台湾**研究院院士和美国国家工程院院士；1991年他得到IEEE电子器件的最高荣誉奖（Ebers奖），称他在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。施敏博士多次来国内讲学，参加我国微电子器件研讨会；他对台湾微电子产业的发展，曾提出过有份量的建议。他曾一再表示愿为我国微电子产业的发展提供咨询。